Мощные излучающие диоды на основе твердых растворов (GaAs/AlAs)

Холдинг «Росэлектроника» начал производство мощных излучающих диодов ИК-излучения.

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал производство мощных излучающих диодов на основе твердых растворов арсенида галлия — арсенида алюминия (GaAs/AlAs). Полупроводниковые приборы используются в качестве источника инфракрасного излучения в системах оптической связи с открытым каналом, дальнометрии, охраны периметра, подсветки видеосъемки, а также для задач имитации целей и организации или подавления систем ночного видения.

[blockquote]В перспективе предприятие планирует расширить линейку выпускаемых диодов изделиями с длиной волны излучения 905±15 нм.[/blockquote]

Кроме того, НИИПП наладил выпуск специальных полупроводниковых источников света. В частности, освоено производство единичных индикаторов в корпусе размером 3,5×2,8 мм, приспособленном для автоматизированного поверхностного монтажа, а также приборы для замены ламп накаливания типа СМ, МН и др. в оборудовании наземной, авиационной и морской техники.

Рекомендуем